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氮化鋁陶瓷材料介紹

簡介

氮化鋁是一種具有優(yōu)異電絕緣性和高導熱性的高性能陶瓷材料,，特別適用于需要有效散熱的應用。它的熱膨脹系數(shù)與硅接近，使其成為半導體加工設備部件的理想材料。此外，氮化鋁還具備出色的等離子體抗性和高機械強度,，廣泛應用于高科技領域，如光電子和高溫環(huán)境下的設備部件。

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氮化鋁陶瓷零部件
常規(guī)規(guī)格｜支持定制
精密陶瓷板料與棒料圖紙
板料 mm （可以按需選擇厚度與長寬,，支持定制）
厚度 L 3 5 8 10 12 15 18 20 22 25 28 更多（支持定制）
長*寬 W*H 100*100 90*140 95*145 150*150 160*160 122*290 110*275 ? ? ? ? 更多（支持定制）
棒料 mm （可以按需選擇厚度與長寬，支持定制）
直徑? 0.5 0.8 0.9 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 更多（支持定制）
長度W 60 100 120 200 ? ? ? ? ? ? ? 更多（支持定制）
特點

氮化鋁（Aluminum Nitride, AlN）是一種先進的陶瓷材料,，因其出色的導熱性和電絕緣性而在高科技領域中非常重要,。氮化鋁同時具有高機械強度和穩(wěn)定的化學性質，使其成為電子和工業(yè)應用的理想選擇,。

1. 優(yōu)異的導熱性與電絕緣性

氮化鋁結合了非常高的導熱性和良好的電絕緣性,，這使得它在需要高效散熱同時要求電氣隔離的應用中非常有價值。

  • 高效散熱解決方案：氮化鋁的高導熱性使其成為高性能電子設備的理想散熱材料,，如功率半導體,、高密度集成電路和高頻電子組件。這些應用通常需要材料能夠快速有效地導出熱量,，以防止由于過熱導致的性能下降或損壞,。
  • 電氣應用：在保持高導熱性的同時，氮化鋁還具備出色的電絕緣性,。這一點對于如電力轉換設備和高壓電氣應用中的絕緣部件尤其重要,，它們需要材料在不導電的情況下有效傳導熱量。

2. 與硅匹配的熱膨脹系數(shù)和優(yōu)良的等離子體抗性

氮化鋁的熱膨脹系數(shù)與硅非常接近,，這一特性以及它的等離子體抗性,，使其在半導體制造中尤為重要。

  • 半導體制造：由于氮化鋁的熱膨脹系數(shù)與硅相匹配,，當用作半導體設備中的基板或熱界面材料時,，可以最大程度減少由于溫度變化引起的熱應力。這對提高半導體器件的可靠性和性能至關重要。
  • 耐等離子體性：在半導體加工過程中,，部件經常需要承受嚴苛的等離子體環(huán)境,，這可能會腐蝕或損壞一些較弱的材料。氮化鋁的優(yōu)良等離子體抗性使其能夠在這些條件下保持性能和結構的穩(wěn)定性,。

氮化鋁的這些特點使其在現(xiàn)代高科技領域尤為重要,，尤其是在高性能電子設備和半導體制造領域。它的優(yōu)異物理性質不僅提升了設備的性能,，還延長了產品的使用壽命,，從而在各種高要求的工業(yè)應用中提供了可靠的材料解決方案。

主要特性
項目 單位 氮化鋁
材料 \ ALN
顏色 \ 灰白色
密度 g/cm3 3.3
機械特性
項目 單位 氮化鋁
抗彎強度(20℃) Mpa 470
抗壓強度(20℃) Mpa 2100
彈性模量(20℃) Gpa 320
斷裂韌性(20℃) MPam? 2.6
維泊爾系數(shù)(20℃) \
硬度(20℃) HRA 87
維氏硬度(HV1) Gpa(kg/mm2) 1122
洛氏硬度(45N) R45N 78.5
熱學特性
項目 單位 氮化鋁
熱膨脹系數(shù) 10-6K-1 4.6
導熱系數(shù)(20℃) W/mk 170
熱震穩(wěn)定性 △T.℃ 400
比熱容 J/g·k 0.72
最高使用溫度(有氧) ℃ 1000
電氣特性
項目 單位 氮化鋁
20℃體積電阻 Ωcm 2.75*1014
介電強度(絕緣強度) KV/mm 17
1MHZ 介電常數(shù) 室溫 \ 8.38
兆赫介質損耗角(1MHz 20℃) tanδ 3*10-3
*數(shù)值為典型材料特性,，實際數(shù)值可能因產品配置和制造工藝的不同而有所變化,。
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